Célula de memória (computação)

A célula de memória é o bloco de construção fundamental da memória de computador. A célula de memória é um circuito eletrônico que armazena um bit de informação binária e deve ser configurada para armazenar uma lógica 1 (nível de alta tensão) e resetada para armazenar uma lógica 0 (nível de baixa tensão). Seu valor é mantido/armazenado até que seja alterado pelo processo de configurar/resetar. O valor na célula de memória pode ser acessado o lendo. Ao longo da história da computação, diferentes arquiteturas de células de memória foram usadas, incluindo a de memória de núcleo e a de memória de bolha. Hoje, a arquitetura de célula de memória mais comum é a memória de metal-óxido-semicondutor MOS, que consiste em células de memória de metal-óxido-semicondutor (MOS). A memória de acesso aleatório (RAM) moderna usa transistores de efeito de campo (FETs) de metal-óxido-semicondutor (MOS) (MOSFETs) como flip-flops, juntamente com capacitores de metal-óxido-semicondutor (MOS) para certos tipos de memória de acesso aleatório (RAM). A célula de memória da memória estática de acesso aleatório (SRAM, RAM estática) é um tipo de circuito flip-flop, normalmente implementado usando transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs). Estes requerem energia muito baixa para manter o valor armazenado quando não estão sendo acessados. Um segundo tipo, o da memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM, RAM dinâmica), é baseado em capacitores de metal-óxido-semicondutor (MOS). Carregar e descarregar um capacitor pode armazenar um "1" ou um "0" na célula. No entanto, a carga neste capacitor vazará lentamente e deve ser atualizada periodicamente. Devido a esse processo de atualização, a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) consome mais energia. No entanto, a memória dinâmica de acesso aleatório (DRAM) pode atingir maiores densidades de armazenamento. Por outro lado, a maioria das memórias não voláteis (NVM) é baseada em arquiteturas de células de memória de porta flutuante. As tecnologias de memória não volátil, incluindo a memória programável apagável somente leitura (EPROM), a memória programável apagável eletricamente somente leitura (EEPROM) e a memória flash, usam células de memória de porta flutuante, que são baseadas em transistores de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) de porta flutuante.