多階儲存單元

多层单元（英語：multi-level cell，缩写MLC）是一种存储多个位元信息的存储器元件。 MLC NAND闪存是一种在每个单元（cell）上使用多个层次的闪存技术，从而允许相同数量的晶体管存储更多位元。在单层单元（SLC）NAND闪存技术中，每个单元只能处于两种状态中的一种，即每个单元存储一个位元。很多MLC NAND闪存在每个单元中存储四个可能的状态，因此可以用每个单元存储两个位元。这减少了区分状态的余量，从而增加了发生错误的可能性。面向低错误率而设计的多层单元有时称之为企业级MLC（eMLC）。 三层单元（Triple-level cells，缩写TLC）是MLC存储器的一种子类型，并随着MLC存储器的演变而有着较混乱的命名法。記憶體階層表现为如下顺序： 1. * SLC - （最快，極高成本） 2. * MLC - （中上，高成本） 3. * TLC - （中等，低成本） 4. * QLC - （最慢，極低成本）