フォトレジスタ
Also known as LDR, light dependent resistor
A photoresistor (also known as a light-dependent resistor, LDR, or photo-conductive cell) is a passive component that decreases in resistance as a result of increasing illuminance (light) on its sensitive surface, in other words, it exhibits photoconductivity. A photoresistor can be used in light-sensitive detector circuits and light-activated and dark-activated switching circuits acting as a semiconductor resistance. In the dark, a photoresistor can have a resistance as high as several megaohms (MΩ), while in the light, it can have a resistance as low as a few hundred ohms. If incident light
Key facts
- Electronic component.name
- Photoresistor
- Electronic component.image
- File:LDR 1480405 6 7 HDR Enhancer 1.jpg
- Electronic component.image_size
- 201
- Electronic component.type
- Passive
- Electronic component.working_principle
- Photoconductivity
- Electronic component.symbol
- File:Photoresistor symbol.svg
- Electronic component.symbol_caption
- The symbol for a photoresistor
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Wikidata facts
- Image
- Photoresistor with orange background-7536.jpg
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- Commons category
- Photoresistors
Sources (3)
Article · 日本語
フォトレジスタ（英: photoresistor）とは、入射する光の強度が増加すると電気抵抗が低下する電子部品である。光依存性抵抗（LDR）や 光導電体、フォトセルとも呼ばれる。 フォトレジスタは、高抵抗の半導体でできている。充分に周波数の高い光が素子に入ると、半導体に吸収された光子のエネルギーにより束縛電子が伝導帯に飛び込む。結果として生じる自由電子（と対になるホール）によって電流が流れ、電気抵抗が低くなる。 光電素子には、内因性・外因性のどちらもある。内因性の素子では価電子帯にだけ存在する電子がバンドギャップを越えなければならず、その励起に相当する以上のエネルギーを持つ光子が必要になる。外因性の素子には伝導帯に近い基底状態エネルギーを持つ不純物が加えられているので電子が遠くまで飛ばなくてもよく、エネルギーの低い（波長が長い、周波数が低い）光子でも充分に機能する。 半導体に真性半導体を用いるイントリンシック形と、n形やp形半導体を用いるエキシトリンシック形がある。エキシトリンシック形は、エネルギーギャップよりも小さいエネルギーの光で電子を励起できるので、より長い波長領域に感度があるという特徴がある。
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