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Recuit thermique rapide

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quickly heats semiconductor wafers to high temperatures

Article · Français

Le procédé de recuit rapide (sigle RTA en anglais) est un procédé de fabrication qui porte le wafer de silicium à haute température (jusqu'à 1 200 °C ou plus) dans un temps très court, quelques secondes.

Abstract from DBpedia / Wikipedia · CC BY-SA

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