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Latch-up-Effekt

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In electronics, a latch-up is a type of short circuit which can occur in an integrated circuit (IC). More specifically, it is the inadvertent creation of a low-impedance path between the power supply rails of a MOSFET circuit, triggering a parasitic structure which disrupts proper functioning of the part, possibly even leading to its destruction due to overcurrent. A power cycle is required to correct this situation.

Wikidata facts

Subclass of
short circuit
Image
CMOS-Inverter mit parasitärem Thyristor.png
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facet of
CMOS
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Article · Deutsch

Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann. Wenn Schutzmaßnahmen fehlen, führt der Latch-up-Effekt zur thermischen Zerstörung des Bauteils. Ausgelöst werden kann ein Latch-up-Effekt durch eine kurze elektrische Spannungsspitze, beispielsweise durch Überspannung oder eine elektrostatische Entladung. Daneben kann auch Alpha- oder Neutronenstrahlung einen Latch-up-Effekt auslösen. Wegen der (deutlich höheren) Teilchenstrahlung im Weltraum ist daher der Raumfahrteinsatz einiger stark miniaturisierter Bauteile nicht möglich.

Abstract from DBpedia / Wikipedia · CC BY-SA

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