ذاكرة تغيير الطور

ذاكرة تغيير الطور (المعروفة أيضًا باختصار بّي سي إم، وبّي سي إم إي، وبّي رام، وبّي سي رام، وأو يو إم (ذاكرة أوفونيك الموحدة)، وسي رام (ذاكرة الوصول العشوائي الكالكوجينية)) هي نوع من ذواكر الوصول العشوائي المستدامة. تستغل ذواكر تغيير الطورالسلوك الفريد لزجاج الكالكوجينيد. في أجيال ذواكر تغيير الطور الأقدم، استخدمت الحرارة الناتجة عن مرور تيار كهربائي عبر عنصر تسخين مصنوع عمومًا من نيتريد التيتانيوم إما لتسخين الزجاج وتبريده بسرعة، ما يجعله لا بلوري، أو لإبقائه في نطاق درجة حرارة التبلور بعض الوقت، وبالتالي تحويله إلى حالة بلورية. تملك ذواكر تغيير الطور أيضًا القدرة على تحقيق عدد من الحالات الوسيطة المتميزة، وبالتالي القدرة على تخزين عدة بتات في خلية واحدة، ولكن حالت الصعوبات في برمجة الخلايا بهذه الطريقة دون تنفيذ هذه الإمكانات في تقنيات أخرى (أبرزها الذاكرة الوميضية (الفلاش)) تملك نفس الإمكانيات. تتجه تقنية ذواكر تغيير الطور الحديثة في اتجاهين مختلفين. وجهت إحدى المجموعات أبحاث عديدة نحو محاولة إيجاد بدائل مادية عملية لـGe2Sb2Te5 (الجرمانيوم-الأنتيمون-التيلوريوم)، وحققت نجاح متفاوتًا. طورت مجموعة أخرى استخدام شبكة فائقة من GeTe–Sb2Te3 لتحقيق تغيرات غير حرارية في الطور عن طريق تغيير حالة التنسيق ذرات الجرمانيوم ببساطة بواسطة نبضة ليزر. حققت ذاكرة تغيير الطور البينية الجديدة (آي بّي سي إم) نجاحات عديدة وما تزال موضوعًا للكثير من الأبحاث النشطة. زعم ليون تساي أنه يجب اعتبار جميع الذواكر المستدامة ثنائية الأطراف، بما فيها ذواكر تغيير الطور، مقاومة ذاكرية. وزعم ستان ويليامز العامل في مختبرات إتش بّي أيضًا أنه يجب اعتبار ذواكر تغيير الطور مقاومة ذاكرية. ولكن، طعن في هذا المصطلح واعتبرت إمكانية تطبيق نظرية المقاومة الذاكرية على أي جهاز يمكن تحقيقه فيزيائيًا موضع شك.