PRAM

Pamięć zmiennofazowa, PCM (od ang. phase-change memory), PRAM, PCRAM (od ang. phase-change RAM) – typ pamięci nieulotnej opartej na nośniku krystalicznym (tzw. owoniku). Wykorzystano w niej zjawisko zmiany fazy punktów nośnika z krystalicznej na amorficzną (i odwrotnie) za pomocą podgrzewania impulsami elektrycznymi. Odczyt dokonywany jest przez pomiar rezystancji nośnika (jest ona inna dla różnych faz). Nośnikiem jest stop tellurku antymonu i tellurku galu, podobny do stosowanego w płytach CD-RW. Zalety: * możliwość zapisu w jednej komórce więcej niż jednego bitu informacji * stosunkowo duża szybkość zapisu i odczytu – około 300 ns * stosunkowo duża trwałość – 1012 cykli * długi czas przechowywania informacji * stosunkowo prosta produkcja przy zastosowaniu istniejącego sprzętu * bezpośrednia zamienność z pamięciami flash Wady: * na obecnym etapie wysoki koszt produkcji * wysokie temperatury występujące podczas zapisu mogą pogorszyć niezawodność w rzeczywistych układach * ciągle zbyt mała prędkość zapisu i trwałość do zastosowań w miejsce obecnych pamięci RAM Autorem koncepcji i prototypów pamięci zmiennofazowej jest firma Ovonyx, stąd nazywana ona była ovonic unified memory (OUM). Obecnie rozwojem tego rodzaju pamięci zajmuje się firma Intel.