Память с изменением фазового состояния

Па́мять с измене́нием фа́зового состоя́ния (англ. Phase-change memory) — компьютерная память на основе фазового перехода, также известна как PCM, PRAM, PCRAM, Ovonic Unified Memory, Chalcogenide RAM, C-RAM — тип энергонезависимой памяти (NVRAM), основанный на свойствах халькогенидов, которые при изменении температуры могут «переключаться» между двумя состояниями: кристаллическим и аморфным. В последних разработках[каких?] смогли добавить ещё два дополнительных состояния, что удвоило информационную ёмкость чипов при прочих равных. Считается[кем?] одной из основной конкурирующих с флеш-памятью технологий, обеспечивающей решения ряда непреодолимых проблем последней.