степпер
Sign in to saveAlso known as "Mask Aligner" stepper, steppers
thumb|250px|An Mercury-vapor lamp#Emission line spectrum|i-line stepper at [[Cornell NanoScale Science and Technology Facility. (Photo taken under inactinic light.)]]
In the Vinony graph
Within Vinony's link graph, степпер is referenced by 35 other articles, and connects out to Moore's law, semiconductor wafer and water.
It sits within the topics Lithography (microfabrication) and Semiconductor device fabrication.
Its subject is documented across 9 Wikipedia language editions.
Article · Русский
Степпер (англ. stepper) — литографическая установка, использующаяся при изготовлении полупроводниковых интегральных схем. На них проводится важнейший этап проекционной фотолитографии — засветка фоторезиста через маску (принцип работы схож с диапроекторами и фотоувеличителями, однако степперы уменьшают изображение с маски (фотошаблона), обычно в 4-6 раз). В процессе работы степпера рисунок с маски многократно переводится в рисунок на различных частях полупроводниковой пластины. Также могут называться «установки проекционного экспонирования и мультипликации», «проекционная система фотолитографии», «проекционная литографическая установка», «установка совмещения и экспонирования». Работа степпера над каждой полупроводниковой пластиной состоит из двух этапов: * позиционирование * экспонирование Своё название степпер (от англ. step — шаг) получил из-за того, что каждое экспонирование производится небольшими прямоугольными участками (порядка нескольких см²); для экспонирования всей пластины её передвигают шагами, кратными размеру экспонируемой области (процесс step-and-repeat). После каждого передвижения проводится дополнительная проверка правильности позиционирования. Современные литографические установки могут использовать не шаговый, а сканирующий режим работы; они называются «сканнеры» (step-and-scan). При экспонировании передвигаются в противоположных направлениях и пластина и маска, скорость сканирования масок до 2000 мм/с, пластины - до 500 мм/с. Луч света имеет форму линии или сильно вытянутого прямоугольника (например использовались лучи с сечением 9×26 мм для экспонирования полей размером 33x26 мм). В конце 2010-х ширина полосы засвета составляла около 24-26 мм, длина засвечиваемой области до 33 мм (требования ITRS - 26х33 мм для 193-нм оборудования). Типичные размеры маски — около 12х18 см, масштабирование в 4 раза.
Abstract from DBpedia / Wikipedia · CC BY-SA