Skip to content
EntityQ1751548· pop 9· linked from 35 articles

степпер

Sign in to save

Also known as "Mask Aligner" stepper, steppers

thumb|250px|An Mercury-vapor lamp#Emission line spectrum|i-line stepper at [[Cornell NanoScale Science and Technology Facility. (Photo taken under inactinic light.)]]

Wikidata facts

Subclass of
projector
Sources (3)

via Wikidata · CC0

Article · Русский

Степпер (англ. stepper) — литографическая установка, использующаяся при изготовлении полупроводниковых интегральных схем. На них проводится важнейший этап проекционной фотолитографии — засветка фоторезиста через маску (принцип работы схож с диапроекторами и фотоувеличителями, однако степперы уменьшают изображение с маски (фотошаблона), обычно в 4-6 раз). В процессе работы степпера рисунок с маски многократно переводится в рисунок на различных частях полупроводниковой пластины. Также могут называться «установки проекционного экспонирования и мультипликации», «проекционная система фотолитографии», «проекционная литографическая установка», «установка совмещения и экспонирования». Работа степпера над каждой полупроводниковой пластиной состоит из двух этапов: * позиционирование * экспонирование Своё название степпер (от англ. step — шаг) получил из-за того, что каждое экспонирование производится небольшими прямоугольными участками (порядка нескольких см²); для экспонирования всей пластины её передвигают шагами, кратными размеру экспонируемой области (процесс step-and-repeat). После каждого передвижения проводится дополнительная проверка правильности позиционирования. Современные литографические установки могут использовать не шаговый, а сканирующий режим работы; они называются «сканнеры» (step-and-scan). При экспонировании передвигаются в противоположных направлениях и пластина и маска, скорость сканирования масок до 2000 мм/с, пластины - до 500 мм/с. Луч света имеет форму линии или сильно вытянутого прямоугольника (например использовались лучи с сечением 9×26 мм для экспонирования полей размером 33x26 мм). В конце 2010-х ширина полосы засвета составляла около 24-26 мм, длина засвечиваемой области до 33 мм (требования ITRS - 26х33 мм для 193-нм оборудования). Типичные размеры маски — около 12х18 см, масштабирование в 4 раза.

Abstract from DBpedia / Wikipedia · CC BY-SA

Available in 9 languages

via Wikidata sitelinks · CC0