Thin-film transistor

Le transistor en couches minces (TCM, anglais TFT, Thin-film transistor) est un type de transistor à effet de champ formé par le dépôt successif de plusieurs couches minces (quelques centaines de nanomètres). Celles-ci sont principalement des diélectriques, un semiconducteur (souvent du silicium) et des couches métalliques pour constituer les contacts. Le TCM se distingue ainsi du transistor MOSFET par la nature de son canal de conduction et par sa technique de fabrication qui permet de l'intégrer sur différents types de supports. Dans le domaine industriel les TCMs sont actuellement très utilisés pour fabriquer l'électronique d'affichage (circuits pixels ou de commande) des écrans plats à matrice active à base de cristaux liquides (AMLCD) ou de diodes organiques électroluminescentes (AMOLED). Sur ces écrans chaque pixel intègre un circuit composé d'un ou plusieurs TCMs. Le TCM a une fonction d'interrupteur (AMLCD) ou de source de courant (AMOLED). Pour réaliser ces circuits il existe deux techniques de fabrication des TCMs : l'une qui utilise du silicium amorphe hydrogéné (TCM a-Si:H) et l'autre du silicium polycristallin (TCM poly-Si). Une nouvelle technologie, dite IGZO (« Indium gallium zinc oxide » en anglais) est développée par des acteurs tels que Sharp ; elle offre l'avantage d'offrir un TCM transparent, doté d'une mobilité des porteurs de charge quarante fois supérieure à celle du silicium amorphe.